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拜科技进化之赐,由于AFM 探针可以量测到数纳米甚至到原子等级尺度的东西，所以我们就利用此AFM 探针的优势来得到纳米尺度的电性图像。有了AFM 的C-AFM图像可以帮助一些半导体业做一些快速的故障分析与学术上的研究,在降低成本上可说是好处多多。
在感应电荷方面(EFM;KPFM), 也同样可以以低成本即可得到材料表面电荷跟相对于探针的功函数，也是对于研究开发很有帮助的利器。近来在半导体上电性测量尤其重要，也可帮助解决与改善制程与良率上的问题。
Ferroelectricity is observed in hexagonal boron nitride(hBN) through control of the registry of stacked layers, which we explore through both amplitude-modulated and sideband Kelvin probe force microscopy (KPFM) on the Park FX40 automatic AFM.
A schematic of the formation of parallel stacked bilayer hBN is shown in addition to a contact potential difference map measured using sideband KPFM.
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Cliff Tseng从事原子力显微镜行业工作超过20年，具有丰富的原子力显微镜使用经验，负责大中华区原子力显微镜在学术界和产业界的技术支持，积累了丰富的原子力显微镜的使用经验。无论是原子力显微镜在材料领域的性能表征还是半导体行业的计量，都具有丰富的实践经验。Cliff Tseng加入Park Systems 大中华后，担任技术与客户开发顾问，为Park Systems 的客户提供专业的技术咨询和帮助。